2.5D IC封装超越摩尔定律,改变游戏规则

2022-04-05 21:50:15   文档大全网     [ 字体: ] [ 阅读: ]

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2.5D IC 封装超越摩尔定律,改变游戏规则

近日,有两家公司同时发布了在芯片封装方面的革命性突破:一个是 意法半导体宣布将硅通孔技术(TSV)引入 MEMS 芯片量产,在意法半导体的多 MEMS 产品(如智能传感器、多轴惯性模块)内,硅通孔技术以垂直短线方式 取代传统的芯片互连线方法(无需打线绑定),在尺寸更小的产品内实现更高的 集成度和性能。另一个则是赛灵思宣布通过堆叠硅片互联 (SSI) 技术,将四个 不同 FPGA 芯片在无源硅中介层上并排互联,结合 TSV 技术与微凸块工艺, 构建了相当于容量达 2000 万门 ASIC 的可编程逻辑器件。虽然同样是基于 TSV 技术,前一种垂直堆叠业界称为 3D 封装;后一种互联堆叠称为 2.5D 封装。这 两种不同 TSV 封装技术的成功量产商用,将会带来一种新的游戏规划在摩尔定 律越来越难走、新的半导体工艺迈向 2xnm 越来越昂贵的今天,封装上的革命 已是一种最好的超越对手的方式。

这里要解释一下为什么一个是 3D 封装,一个叫 2.5D 封装。目前业界已 达成一个观点,3D 是指垂直的堆叠,把多颗主动 IC 用微凸快(micropum)和硅 通孔技术连在一起,微凸快是一种新兴技术,中间有非常多的挑战。比如两个 硅片之间有应力,举例来说,两个芯片本身的膨胀系数有可能不一样,中间连 接的微凸快受到的压力就很大,一个膨胀快,一个膨胀慢,会产生很大的应力。 第二,硅通孔也会有应力存在,会影响周围晶体管的性能。第三是热管理的挑 战,如果两个都是主动的 IC,散热就成为很大的问题。所以对于真正的 3D 装,行业需要解决上面三个重要挑战。

赛灵思公司全球高级副总裁,亚太区

执行总裁汤立人解释,目前能实现 3D 封装的只是 Memory 芯片。意法半导体 MEMS 能实现 3D 封装,因为它面临的发热等问题小一些,但对于移动终端 来说,器件尺寸会大大减小,这也是一个趋势。从目前掌握的情况看,要实现


不同的复杂逻辑 IC 之间的真正 3D 封装,至少还需要 2-3 年的时间。

他接着解释 2.5D 的方式:我们联合 TSMC Amkor 等产业链伙伴,采 用的 2.5D 方式,多颗主动 IC 并排放到被动的介质上。因为硅中介层是被动硅 片,中间没有晶体管,不存在 TSV 应力以及散热问题。通过多片 FPGA 的集 成,容量可以做到很大,避开新工艺大容量芯片的良率爬坡期,并因为避免了 多片 FPGA I / O 互连而大幅降低功耗,比如此次我们推出的集成四片 FPGA Virtex-7 2000T 功耗小于 20W,容量相当于 ASIC 2000 万门。如果是 4 单片 FPGA 分开采用,加起来的功耗远远大于这个数,可能会是几倍的数值。 tips:感谢大家的阅读,本文由我司收集整编。仅供参阅!


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