电子元器件在铯137辐射环境下的性能测试

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课题内容介绍

由于电子元器件的材料和制造工艺不同，其耐受的辐照剂量以及剂量率可能就不同。本课题主要研究在实验室用放射源137Cs辐照的条件下，电子元器件的性能的变化。为在辐照环境下的电子设备的设计提供必要的基础数据。

1. 熟悉电子元件辐射的损伤机理，查阅期刊库与电子元件辐射损伤相关的文献，针对本课题研究意义和研究方法写出一份开题报告。 2. 以典型的电子元件：电阻、电感、电容为研究对象，设计并建立实验测试平台，改变剂量率和辐照时间来测试元器件的性能。

毕业设计(论文)要求

3. 写出一篇完整的毕业论文。

要求

4. 开题报告应查阅20篇以上的中、英文文献，字数不少于3000字。 5. 电子元件种类三种以上，剂量率和辐照时间分别选择三种情况。

6. 论文逻辑清楚、结构合理，完全达到学校对毕业论文的规定和要求。



内容介绍：由于电子器件的材料和制作工艺不同，其耐受的辐射剂量以及剂量率可能不同，课题主要研究在实验室用放射源铯137辐照的条件下，电子元器件的性能变化，为辐照环境下的电子设备的设计提供必要的基础数据

要求：1.熟悉电子元件辐射的损伤机理，查阅期刊数据库与电子元件辐射损伤相关的文献，针对本课题研究意义和研究方法写出一篇开题报告。

2.以典型的电子元件：电阻、电感、电容为研究对象，设计并建立实验测试平台，改变剂量率和辐照时间来测试元器件的性能。

3.开题报告应查阅20篇以上的中、英文文献，字数不少于3000字。 4.电子元件种类三种以上，剂量率和辐照时间分别选择三种情况。 5.论文逻辑清楚，结构合理，完全达到学校对毕业设计的要求和规定。 某CMOS芯片（桥结绝缘层）经β粒子照射1h之后。 Es 0.5 1.5 2.0 4.0 7.0 Nep 13230 45540 45560 45350 45860 Nvi 2.896 136.1 187.2 1020 2993

Es：电子束能量（Mev） Nep：电子-空穴对密度：x1017对/cm3 Nvi:离位原子密度x1014对/cm3

电子元器件的辐射效应

空间辐射效应将导致元器件性能衰退，半导体增益降低，工作点漂移，甚至完全损坏。其辐射效应有三种

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