利用正硅酸乙酯制备二氧化硅膜

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利用正硅酸乙酯制备二氧化硅膜

王涛;杨茂文;李艳琼;程莉莉;王升高;汪建华

【期刊名称】《武汉工程大学学报》【年(卷),期】2007(029)002

【摘要】以正硅酸乙酯为原料,利用微波等离子体化学气相沉积法在低温条件下在Si基片上制备了SiO2 膜,着重研究了正硅酸乙酯注入位置对SiO2膜结构的影响.实验表明,在利用等离子体化学气相沉积法制备SiO2膜时,表面反应是低温条件下获得高质量膜的重要条件之一;同时射频偏压的使用有利于提高膜的致密度. 【总页数】3页(P51-53)

【作者】王涛;杨茂文;李艳琼;程莉莉;王升高;汪建华

【作者单位】湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,湖北,武汉,430074;武汉健民药业集团股份有限公司,湖北,武汉,430000;湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,湖北,武汉,430074;湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,湖北,武汉,430074;湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,湖北,武汉,430074;湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,湖北,武汉,430074 【正文语种】中文【中图分类】TN2 【相关文献】

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