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一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED
卫静婷;张佰君;刘扬;范冰丰;招瑜;罗睿宏;冼钰伦;王钢
【期刊名称】《半导体技术》 【年(卷),期】2008(0)S1
【摘 要】为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通,形成第一n电极,在减薄的Si衬底背面蒸镀背电极用于形成第二n电极。并且通过改变探针的测试位置,在同一芯片上进行了V-LED与横向导电的LED结构(L-LED)的比较,V-LED展现出了良好的性能,其串联电阻相对降低了10%,在大电流注入的情况下,相对光输出强度也有了提高。 【总页数】3页(P235-237)
【关键词】硅衬底;通孔;垂直结构LED;电流扩展;绿光LED;N电极 【作 者】卫静婷;张佰君;刘扬;范冰丰;招瑜;罗睿宏;冼钰伦;王钢 【作者单位】中山大学光电材料与技术国家重点实验室 【正文语种】中 文 【中图分类】TN312.8 【相关文献】
1.GaN基垂直结构LED的n型电极结构设计及芯片制备 [J], 刘丽;胡晓龙;王洪 2.量子垒结构对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响 [J], 汤英文;熊传兵;井
晓玉
3.p层厚度对Si基GaN垂直结构LED出光的影响 [J], 陶喜霞;王立;刘彦松;王光绪;江风益
4.全球首个全垂直结构Si基GaN功率MOSFET [J], ;
5.自分裂GaN基垂直结构LED研究 [J], 苏旭良;王灿;应磊莹;徐欢;许荣彬;梅洋;郑志威;龙浩;张保平
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