【历届诺贝尔奖得主(八)】1985年物理学奖,化学奖和生理学或医学奖

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1985年12月10日第八十五届诺贝尔奖颁发。 物理学奖

德国科学家冯克利津因发现量子霍尔效应获诺贝尔物理学奖。

冯·克利津（又译冯·克利青KlausvonKlitzing,1943-）因发现量子霍耳效应，获得了1985年度诺贝尔物理学奖。因发现量子霍尔效应并开发出测定物理常数的新技术，克里津获得了１９８５年的诺贝尔物理学奖。霍尔效应是１８７９年美国物理学家霍尔研究载流导体在磁场中导电的性质时发现的一种电磁效应。此效应广泛地用于半导体。百年后的１９８０年，克里津从金属―氧化物半导体场效应电晶体中发现了量子霍尔效应。

人物简介

诺贝尔物理学奖获得者 克里津1943年6月出生，1962年进入德国布朗许瓦格技术大学学习物理，1972年在维尔兹堡物理学所获得博士学位。1980年，他到德国慕尼黑技术大学任教，1984年出任德国马克斯―普朗克学会固体研究所所长。2004年3月，冯·克里津（K．v．Klitzing）博士应邀来华，在位于北京的中德科学研究中心为公众作了题为《物理学与计量学——从商代的长度计量单位到量子霍尔效应的应用》的科普报告。从4000多年前中国商代的长度和重量的计量单位到古埃及和印度用于计量时间的日规、水表，他讲述了计量学演化的过程，以及量子霍尔效应在确定新计量单位中的应用前景。

霍耳效应

霍耳效应是1879年美国物理学家霍耳（EdwinHall）研究载流导体在磁场中导电的性质时发现的一种电磁效应。他在长方形导体薄片上通以电流，再沿电流的垂直方向加上磁场，然后发现在导体两侧与电流和磁场均垂直的方向上产生了电势差。这个效应后来被广泛应用于半导体研究。1980年，冯·克里津从金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)发现了一种新的量子霍尔效应。他在硅MOSFET管上加两个电极，再把这个硅MOSFET管放到强磁场和极低温下，发现霍耳电阻随栅压变化的曲线上出现了一系列平台，与这些平台相应的霍耳电阻Rh=h/(ne2)，其中n是正整数1，2，3„„。也就是说，这些平台是精确给定的，是不以材料、器件尺寸的变化而转移的。它们只是由基本物理常数h(普朗克常数)和e(电子电荷)来确定。

量子霍耳效应

量子霍耳效应是继1962年约瑟夫森效应发现之后又一个对基本物理常数有重大意义的固体量子效应。它是20世纪以来凝聚态物理学和有关新技术(包括低温、超导、真空、半导体工艺、强磁场等)综合发展加上冯·克利青创造性的研究工作所取得的重要成果。

大自然提供了不同的计量单位 计量学

计量学是研究测量的科学，它是科学知识的获取和应用等许多人类活动的重要基地，重量和长度的法定体系是调节贸易的基本标准。英国物理学家、热力学第二定律的建立者开尔文勋爵曾经说：“当你能够对所说事物进行测量并用数字表达时，你对它就有所认识了。”

不同的时间计量单位

大自然为人类提供了不同的时间计量单位。至少在5000年前，巴比伦人与埃及人就已经开始用日、月、星辰测量时间。他们制定历法，组织协调居民活动和公众事件，更重要的是决定播种与收成的时间。他们的历法基于三种自然循环：地球自转所产生的昼夜周期（日）；月球绕地球公转的朔望周期（月）；地球绕太阳公转的四季周期（年）。而身体的重量和长度

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