半导体大题1

【#文档大全网# 导语】以下是®文档大全网的小编为您整理的《半导体大题1》，欢迎阅读！

1)已知硅具有金刚石结构，实验测得其晶格常数a=0.543nm,试求其原子密度。



2)掺磷的N型硅，已知磷的电离能为0.04eV，求室温下杂质一半电离时费 位置和磷的浓度。



3)光均匀照射在6Ω·cm的n型硅样品上，电子—空穴对的产生率为4×1021cm 寿命为8μS。试计算光照前后样品的电导率。

4)试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2

/v·s和500cm2

/v·s。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电本征Si的电导率增大了多少倍？



5)若锗中施主杂质电离能Ed

=0.01eV，施主杂质浓度分别为Nd=31410

cm及31710

cm。

计算1、99%电离；2、90%电离；3、50%电离时温度各为多少？

注：N2(2πmn*KB)3/2

C=

h3

=2×1015(T3/2/cm3)



6)已知锗具有金刚石结构，实验测得其晶格常数a=0.566nm.试求其原子密度。



7)某掺施主杂质的非简并Si样品，试求EF=(EC+ED)/2时施主的浓度。(Nc同5)) 解：n0=ND+



8)用强光照射n型半导体样品，假定光被均匀的吸收，产生过剩载流子， Gp，空穴寿命为τ。 1.写出光照下过剩载流子浓度所满足的方程2求出光照下达到稳定状态时的过剩载流子浓度



9)对于晶格常数为2.5×10－10

m的一维晶格，当外加电场为106V/m时，试 自能带底运动到能带顶

所需的时间。



10)在半导体锗材料中掺入施主杂质浓度Nd=1014cm-3，受主杂质浓度Na=7×1013cm-3，设室温本下本征锗材料的电阻率为ρi=60Ω·cm，假设电子和空穴的迁移率分别为µn=3800cm2/(V·s)，µp=1800cm2/(V·s)，若流过样品的电流密度为52.3mA/cm2，求所施加的电场强度。



11)假设Si中空穴浓度是线性分布，在4μm内的浓度差为2×1016cm﹣

3，试计算 下空穴的扩散电流密度。



12)证明非平衡载流子的寿命满足△p(t)=△p－0e

t/τ

,并说明式中各项的物理意义。

本文来源：https://www.wddqxz.cn/52cc6453647d27284b7351c5.html