第二章习题及答案

2022-10-08 19:09:20   文档大全网     [ 字体: ] [ 阅读: ]

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第二章习题

1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么?

答:1)理想半导体:假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上,实际半导体中原子不是静止的,而是在其平衡位置附近振动。

2)理想半导体是纯净不含杂质的,实际半导体含有若干杂质。

3)理想半导体的晶格结构是完整的,实际半导体中存在点缺陷,线缺陷和面缺陷等。

2. As掺入Ge中为例,说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。 答:As5个价电子,其中的四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键,还剩余一个电子,同时As原子所在处也多余一个正电荷,称为正离子中心,所以,一个As原子取代一个Ge原子,其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子.多余的电子束缚在正电中心,但这种束缚很弱,很小的能量就可使电子摆脱束缚,成为在晶格中导电的自由电子,而As原子形成一个不能移动的正电中心。这个过程叫做施主杂质的电离过程。能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心,称为施主杂质或N型杂质,掺有施主杂质的半导体叫N型半导体。

3. Ga掺入Ge中为例,说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。 答:Ga3个价电子,它与周围的四个Ge原子形成共价键,还缺少一个电子,于是在Ge晶体的共价键中产生了一个空穴,Ga原子接受一个电子后所在处形成一个负离子中心,所以,一个Ga原子取代一个Ge原子,其效果是形成一个负电中心和一个空穴,空穴束缚在Ga原子附近,但这种束缚很弱,很小的能量就可使空穴摆脱束缚,成为在晶格中自由运动的导电空穴,而Ga原子形成一个不能移动的负电中心。这个过程叫做受主杂质的电离过程,能够接受电子而在价带中产生空穴,并形成负电中心的杂质,称为受主杂质,掺有受主型杂质的半导体叫P型半导体。

4. SiGaAs中的行为为例,说明IV族杂质在III-V族化合物中可能出现的双性行为。

答:Si取代GaAs中的Ga原子则起施主作用; Si取代GaAs中的As原子则起受主作用。导带中电子浓度随硅杂质浓度的增加而增加,当硅杂质浓度增加到一定程度时趋于饱和。硅先取代Ga原子起施主作用,随着硅浓度的增加,硅取代As原子起受主作用。


5. 举例说明杂质补偿作用。

答:当半导体中同时存在施主和受主杂质时, 若(1 ND>>NA

因为受主能级低于施主能级,所以施主杂质的电子首先跃迁到NA个受主能级上,ND-NA电子在施主能级上,杂质全部电离时,跃迁到导带中的导电电子的浓度n= ND-NA。即则有效受主浓度为NAeff ND-NA 2NA>>ND

施主能级上的全部电子跃迁到受主能级上,受主能级上还有NA-ND个空穴,它们可接受价带上的NA-ND电子在价带中形成的空穴浓度p= NA-ND. 即有效受主浓度NAeff NA-ND 3NAND时,

不能向导带和价带提供电子和空穴, 称为杂质的高度补偿 6. 说明类氢模型的优点和不足。

答:优点:基本上能够解释浅能级杂质电离能的小的差异,计算简单。

缺点:没有反应出杂质原子的影响。只有电子轨道半径较大时,该模型才较适用,Ge.相反,对电子轨道半径较小的,如Si,简单的库仑势场不能计入引入杂质中心带来的全部影响。

7. 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV,相对介电常数r=17电子的有效质量

m*m0电子的惯性质量,求①施主杂质的电离能,②施主的弱束缚电n =0.015m0,

子基态轨道半径。

解:根据类氢原子模型

*4*

mnqmnE013.6

ED0.00157.1104eV 2222

m0r2(40r)17

h20

r020.053nm

qm0

h20rm0r

r2*r060nm*

qmnmn

8. Eg=2.26eVr=11.1m*p=0.86m0,m0电子的惯性质量,求①受主杂质电离能;②受主束缚的空穴的基态轨道半径。


解:根据类氢原子模型

*4*

E0mPqmP13.6

EA0.0860.0096eV 2222

m0r2(40r)11.1

h20

r020.053nm

qm0r

h0rm0r

*r06.68nm2*

2

qmPmP








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