加快发展我国第3代半导体材料力争实现产业赶超

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加快发展我国第3代半导体材料力争实现产业赶超

王兴艳

【期刊名称】《新材料产业》 【年(卷),期】2017(0)8

【摘 要】我国半导体产业长期受制于人，每年进口芯片的支出就超过2000亿美元，高于进口石油的花费。这种被动局面很大程度上与我国半导体材料技术不强有关。近年来，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第344半导体材料正在兴起，美国早在2014年就成立了下一代电力电子制造创新学院，重点推进第3代半导体材料的技术研发与应用开发。 【总页数】2页(P9-10) 【作 者】王兴艳

【作者单位】工业和信息化部赛迪智库原材料工业研究所 【正文语种】中 文 【相关文献】

1.观美日欧第3代半导体材料产业思中国发展之路2.力争抢占第3代半导体产业战略制高点3.张伟儒:抓住机遇,抢占第3代半导体材料产业制高点4.大力发展第3代半导体产业 助力实现“双碳”目标5.我国第3代半导体材料制造设备取得新突破

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