硅热蒸发法制备SiC纳米线及其结构表征

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硅热蒸发法制备SiC纳米线及其结构表征

吴玲玲;吴仁兵;杨光义;陈建军;翟蕊;林晶;潘颐

【期刊名称】《浙江大学学报（工学版）》【年(卷),期】2008(042)003

【摘要】采用简单热蒸发法使硅蒸气和碳纳米管反应生成了碳化硅纳米线.反应产物首先经X射线衍射(XRD)确定为3C-SiC.再用场发射扫描电镜(FESEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等进行形貌和结构研究,发现3C-SiC纳米线部分呈直线六棱柱形状,大多为3C-SiC单晶,其[111]方向与纳米线长度方向一致,间或有折线,弯曲和螺旋形.在这些结果的基础上,提出3C-SiC纳米线形核生长的气液固(VLS)机制:硅蒸气(V)溶于碳纳米管端部残留金属催化剂液滴(L),与碳纳米管反应(S),生成3C-SiC晶核并沿碳纳米管长度方向生长. 【总页数】5页(P485-488,533)

【作者】吴玲玲;吴仁兵;杨光义;陈建军;翟蕊;林晶;潘颐

【作者单位】浙江大学,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027;浙江大学,材料科学与工程学系,浙江,杭州,310027 【正文语种】中文【中图分类】TN304.05

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